据报道，三星电子在第六代1c DRAM的生产良率上取得关键突破，为其下一代HBM4内存的量产铺平道路，此举旨在追赶SK海力士，重夺在...
随着全球半导体竞赛进入白热化，三星电子正倾力布局其两大王牌技术——GAA环绕栅极晶体管与HBM4高带宽内存，目标在2025年下半年的...
随着AI服务器需求激增，高带宽内存（HBM）市场竞争白热化。尽管三星正向英伟达供应HBM3E，但市场焦点已迅速转向2026年的HBM...