AI硬件进展 传三星1c DRAM良率取得突破性进展，为HBM4铺路，誓夺AI内存市场主导... 据报道，三星电子在第六代1c DRAM的生产良率上取得关键突破，为其下一代HBM4内存的量产铺平道路，此举旨在追赶SK海力士，重夺在... Digitimes 11小时前 11小时前 展开阅读
